濺射法是制備化學成分比較復雜的合金和化合物復合薄膜的相當有效的方法之一.但是，如果濺射條件不當，容易發生濺射膜成分的偏離，得不到預期成分的薄膜.濺射膜化學成分的偏離，是由于在濺射過程中靶表面成分的變化以及各種成分的附著系數的不同而引起的.
為了避免濺射膜化學成分的偏離，以得到預期的膜，必須防止靶表面的發熱，同時要考慮各成分的附著系數的差異，預先改變靶的成分.但是，如果當各成分蒸氣壓之差比較小，基板溫度不太高時，濺射膜成分的偏離可以忽略不計.
在BiO2中添加一定量的GeO，SiO2和PbO等氧化物可以形成所謂的r-Bi203族化合物，它是具有壓電性和光電效應的絕緣體.用高頻平行平板型兩電極濺射裝置。在玻璃或硅基板上制備多晶或非晶y—Bi2O3族薄膜時，所用的靶，是把Bi203物粉末按y—Bi2O3族化合物的化學當量比混合后，在空氣中焙燒4個小時而成的。
表3.9給出了濺射條件，濺射膜的結構主要與基板的溫度有關.例如，Bi12GeO20薄膜，當基板溫度低于150℃時其結構為非晶;當基板溫度為150~350℃時，形成亞穩定的8相(多晶)，沒有壓電性質：當基板溫度高于400℃時得到7相;當基板溫度在350～400℃時得到8相和7相的混合相。其他7-Bi2O3族薄膜的結構也是主要和基板溫度有關，而且y相的定向性隨著添加物的種類而變化.Bi12PbO19薄膜的7相具有定向性.
